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昭信半導體力爭推動深紫外LED技術發展

發布日期:2016-03-23

        在半導體照明市場深紫外LED等利潤豐厚領域正吸引著眾多業者目光。昭信半導體繼贏得國產MOCVD技術領先后,通過圍繞新材料?薄膜科技的主題提供定制技術服務與新應用拓展,參展SEMICON China 2016。
        超越量產型MOCVD設備單一銷售戰略,昭信半導體以技術工程、提供全面解決方案、專業定制服務為核心,致力于MOCVD設備的自主研制,取得了多項核心技術專利。利用在加熱系統及真空反應系統技術上,多年積累的研制經驗,在常規GaN MOCVD設備技術基礎上,成功開發出高溫MOCVD設備技術。
        三年前為中電集團旗下研究所改造了MOCVD設備,目前該設備可長期在1300°C高溫下穩定運行。一年前,應在光電材料研究領域處于國內領先地位的某高校需求,提供了一臺用于氧化物外延生長的MOCVD設備。該設備利用獨特的結構設計,有效防止了電爐等零件的高溫氧化。可長期穩定工作在1000°C高溫,為客戶從事氧化物外延提供了更多的研究選擇。也形成了昭信半導體獨特的氧化物CVD設備技術。
        目前,昭信半導體正在推進量產型MOCVD設備高溫技術,目標是將量產型MOCVD設備穩定工作溫度提高超過1400°C。同時,在自主MOCVD設備上展開的AlN工藝研究也進展順利,(002)面XRD小于300arcs,(102)面XRD小于500arcs,所生長的薄膜晶體質量良好。當前深紫外LED是高利市場,但在此領域國內尚未獲得有效突破,一個主要原因就是現有MOCVD設備不能滿足紫外產品的工藝運行,無法實現AlN、高摻Al的高質量外延。相信在不久的將來,昭信半導體的高溫MOCVD設備技術,還將有更多新成果展示,將能推動深紫外LED技術的新發展。
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