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昭信半導體創新設計的氧化物CVD成功出貨

發布日期:2015-07-07

昭信半導體公司新研制的氧化物CVD設備,具有如下四大特性:

1. 尾氣口設置在腔體軸心處,腔體內部氣流均勻對稱。

2. 石墨托盤表面能實現1000℃度以上高溫。

3. 加熱器密封在內部,與氧氣隔離,可有效防止被高溫氧化。

4. 創新的加熱器設計,盤面溫度均勻性小于正負1℃度。

創新設計的氧化物CVD得到了某大學氧化物薄膜專家教授一致高度認可,并成功向該大學出運一臺該款型創新設計的氧化物CVD設備。標志著昭信半導體在CVD設備領域的設計、制造再上新臺階,進一步展示了昭信半導體獨特的定制化設計制造能力。

 

     

   

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